（CWW）近日，据TechInsights报道，TechInsights在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片，它来自中国顶级的3D NAND制造商长江存储。3D NAND存储器是人工智能(AI)和机器学习等高性能计算(HPC)的重要组成部分。3D NAND存储器代表了存储芯片设计的最前沿，对于人工智能等高性能、高带宽计算至关重要。
据悉，这是TechInsights看到的首个具有超过200个活跃字线的四层存储单元(QLC) 3D NAND芯片。此外，TechInsights在长江存储2023年7月推出的致态固态硬盘(SSD)中(图2)发现了由其制造的232层QLC 3D NAND芯片(图1)。这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。
图1：长江存储232L QLC芯片
图2：致态Ti600 1TB固态硬盘
TechInsights此次发现的关键要点如下：
●长江存储再次证明了他们为3D NAND TLC和QLC应用开发的Xtacking 混合键合技术的价值。Xtacking 3.0 232L采用BSSC技术，提高了良率和性能，降低了成本。
●尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单， 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。
●近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供了机遇，使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。
●本次的发现超越了同样在开发232层QLC 3D NAND器件的美光和英特尔(Solidigm)。值得注意的是，三星目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此没有在236层(V8) 3D NAND上开发QLC。但是，三星在上周举行的“内存技术日”上，首次公开了面向移动市场的QLC产品。这是采用176层(V7)技术的512GB UFS 3.1产品。SK海力士的主要业务是TLC，而不是QLC产品。
●越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。
